Gallium Antimonide GaSb

ဖော်ပြချက်

Gallium Antimonide GaSbဇင့်-ရောစပ်ရာဇမတ်ဖွဲ့စည်းပုံပါရှိသော အုပ်စု III-V ဒြပ်ပေါင်းများ၏ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကို 6N 7N မြင့်မားသောသန့်ရှင်းသော ဂယ်လီယမ်နှင့် ခနောက်စိမ်းဒြပ်စင်များဖြင့် ပေါင်းစပ်ထုတ်လုပ်ထားပြီး LEC နည်းလမ်းဖြင့် အေးခဲနေသော polycrystalline ingot သို့မဟုတ် VGF နည်းလမ်းဖြင့် EPD<1000cm^-3.GaSb wafer သည် အခြားသော သတ္တုမဟုတ်သော ဒြပ်ပေါင်းများထက် အမြင့်ဆုံးသော အလင်းယပ်အညွှန်းကိန်းများထက် မြင့်မားသောလျှပ်စစ်ဘောင်များ တူညီမှုရှိသော GaSb wafer ကို လှီးဖြတ်ပြီး ပုံဖော်နိုင်သည်။GaSb ကို အတိအကျ သို့မဟုတ် တိမ်းညွှတ်မှု ၊ အနိမ့် သို့မဟုတ် မြင့်မားသော စွန်းထင်းမှု ၊ ကောင်းမွန်သော မျက်နှာပြင် နှင့် MBE သို့မဟုတ် MOCVD epitaxial ကြီးထွားမှုအတွက် ကျယ်ပြန့်သော ရွေးချယ်မှုဖြင့် လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။Gallium Antimonide အလွှာအား ဓာတ်ပုံရှာဖွေစက်များ၊ ကြာရှည်ခံသော အနီအောက်ရောင်ခြည် ထောက်လှမ်းသည့်ကိရိယာများ၊ အာရုံခံနိုင်စွမ်းနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှု၊ ဓါတ်ရောင်ခြည်ခံနိုင်သော အစိတ်အပိုင်း၊ အနီအောက်ရောင်ခြည် LED နှင့် လေဆာများ၊ ထရန်စစ္စတာများ၊ အပူဓာတ်ဗော့တာတစ်ဆဲလ် နှင့် thermo-photovoltaic စနစ်များ။

ပေးပို့ခြင်း။

Western Minmetals (SC) ကော်ပိုရေးရှင်းမှ Gallium Antimonide GaSb ကို အရွယ်အစား 2" 3" နှင့် 4" (50mm, 75mm, 100mm) အချင်း၊ orientation <111> ဖြင့် ကမ်းလှမ်းနိုင်ပါသည်။ သို့မဟုတ် <100>၊ နှင့်ကဲ့သို့ ဖြတ်ခြင်း၊ ထွင်းထုခြင်း၊ ပွတ်တိုက်ခြင်း သို့မဟုတ် အရည်အသွေးမြင့် epitaxy အဆင်သင့် ပြီးစီးမှုရှိသော wafer မျက်နှာပြင်။အချပ်များအားလုံးသည် အထောက်အထားအတွက် တစ်ဦးချင်း လေဆာဖြင့် ရေးထားသည်။ဤအတောအတွင်း၊ polycrystalline gallium antimonide GaSb အလုံးအခဲကိုလည်း ပြီးပြည့်စုံသောဖြေရှင်းချက်အတွက် တောင်းဆိုချက်အရ စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်ထားပါသည်။

အခုပဲ စုံစမ်းလိုက်ပါ။

အသေးစိတ်

တဂ်

နည်းပညာဆိုင်ရာသတ်မှတ်ချက်

Gallium Antimonide

GaSb

Gallium Antimonide GaSbဓာတ်ပုံထောက်လှမ်းကိရိယာများ၊ တာရှည်ခံသော အနီအောက်ရောင်ခြည် ထောက်လှမ်းသည့်ကိရိယာများ၊ မြင့်မားသော အာရုံခံနိုင်စွမ်းနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှု၊ photoresist အစိတ်အပိုင်း၊ အနီအောက်ရောင်ခြည် LED နှင့် လေဆာများ၊ ထရန်စစ္စတာများ၊ အပူဓာတ်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဆဲလ်များနှင့် သာမိုတိုဓာတ်ပစ္စည်းများကဲ့သို့သော နောက်ဆုံးပေါ် photo-optic နှင့် optoelectronic အက်ပလီကေးရှင်းများတွင် အသုံးပြုလျက်ရှိသည်။ -photovoltaic စနစ်များ။

	ပစ္စည်းများ	စံသတ်မှတ်ချက်
1	အရွယ်အစား	2"	3"	4"
2	အချင်းမီလီမီတာ	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	ကြီးထွားမှုနည်းလမ်း	LEC	LEC	LEC
4	လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း	P-type/Zn-doped၊ Un-doped၊ N-type/Te-doped
5	တိမ်းညွှတ်မှု	(100)±0.5°၊ (111)±0.5°
6	အထူ μm	500±25	600±25	800±25
7	Orientation Flat mm	16±2	22±1	32.5±1
8	သက်သေခံပြား မီလီမီတာ	8±1	11±1	18±1
9	ရွေ့လျားနိုင်မှု cm2/Vs	200-3500 သို့မဟုတ် လိုအပ်သလို
10	Carrier Concentration cm-3	(1-100)E17 သို့မဟုတ် လိုအပ်သလို
11	TTV µm အမြင့်ဆုံး	15	15	15
12	ညွှတ် µm max	15	15	15
13	Warp μm အမြင့်ဆုံး	20	20	20
14	Dislocation Density cm-2 အများဆုံး	၅၀၀	၁၀၀၀	၂၀၀၀
15	မျက်နှာပြင် အပြီးသတ်	P/E၊ P/P	P/E၊ P/P	P/E၊ P/P
16	ထုပ်ပိုးခြင်း။	အလူမီနီယမ်အိတ်ထဲတွင် အလုံပိတ် wafer တစ်လုံး။

Linear ဖော်မြူလာ	GaSb
မော်လီကျူးအလေးချိန်	၁၉၁၊၄၈
ကြည်လင်တာဘဲ	ဇင့်ပေါင်းစပ်
အသွင်အပြင်	မီးခိုးရောင် ပုံဆောင်ခဲအစိုင်အခဲ
အရည်ပျော်မှတ်	710°C
ရေဆူမှတ်	မရှိ
သိပ်သည်းဆ 300K	5.61 g/cm³
စွမ်းအင်ကွာဟမှု	0.726 eV
ပင်ကိုယ်ခုခံနိုင်စွမ်း	1E3 Ω-စင်တီမီတာ
CAS နံပါတ်	၁၂၀၆၄-၀၃-၈
EC နံပါတ်	၂၃၅-၀၅၈-၈

Gallium Antimonide GaSbWestern Minmetals (SC) ကော်ပိုရေးရှင်းတွင် 2" 3" နှင့် 4" (50mm၊ 75mm၊ 100mm) အချင်း၊ orientation <111> သို့မဟုတ် <100 >၊ နှင့်ကဲ့သို့ ဖြတ်ခြင်း၊ ထွင်းထုခြင်း၊ ပွတ်တိုက်ခြင်း သို့မဟုတ် အရည်အသွေးမြင့် epitaxy ၏ wafer မျက်နှာပြင်ဖြင့် အဆင်သင့်ပြီးဆုံးခြင်း။အချပ်များအားလုံးသည် အထောက်အထားအတွက် တစ်ဦးချင်း လေဆာဖြင့် ရေးထားသည်။ဤအတောအတွင်း၊ polycrystalline gallium antimonide GaSb အလုံးအခဲကိုလည်း ပြီးပြည့်စုံသောဖြေရှင်းချက်အတွက် တောင်းဆိုချက်အရ စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်ထားပါသည်။