အင်ဒီယမ် အာဆင်းနိုက် InAs

ဖော်ပြချက်

Indium arsenide InAs crystal သည် အုပ်စု III-V ၏ ဒြပ်ပေါင်းတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖြစ်ပြီး အနည်းဆုံး 6N 7N သန့်စင်သော အင်ဒီယမ်နှင့် အာဆင်းနစ်ဒြပ်စင်ဖြင့် ပေါင်းစပ်ထုတ်လုပ်ထားပြီး VGF သို့မဟုတ် Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) လုပ်ငန်းစဉ်၊ မီးခိုးရောင်အသွင်အပြင်၊ ဇင့်ပေါင်းစပ်ဖွဲ့စည်းပုံပါရှိသော ကုဗပုံဆောင်ခဲများ၊ အရည်ပျော်မှတ် ၉၄၂ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်၊Indium arsenide band gap သည် gallium arsenide နှင့် တိုက်ရိုက်တူညီသော အသွင်ကူးပြောင်းမှုဖြစ်ပြီး တားမြစ်ထားသော band width သည် 0.45eV (300K) ဖြစ်သည်။InA သည် လျှပ်စစ်ဘောင်များ၏ တူညီမှု၊ စဉ်ဆက်မပြတ် ရာဇမတ်ကွက်များ၊ မြင့်မားသော အီလက်ထရွန် ရွေ့လျားနိုင်မှုနှင့် ချို့ယွင်းသိပ်သည်းမှု နည်းပါးသည်။VGF သို့မဟုတ် LEC မှ စိုက်ပျိုးထားသော ဆလင်ဒါပုံသလင်းကျောက်ကို MBE သို့မဟုတ် MOCVD epitaxial ကြီးထွားမှုအတွက် wafer as-cut, etched, polished သို့မဟုတ် epi-ready အဖြစ် ဖန်တီးနိုင်သည်။

လျှောက်လွှာများ

Indium arsenide crystal wafer သည် Hall ကိရိယာများနှင့် သံလိုက်စက်ကွင်းအာရုံခံကိရိယာများပြုလုပ်ရန် အလွန်ကောင်းမွန်သော အလွှာတစ်ခုဖြစ်ပြီး ၎င်း၏အမြင့်ဆုံးခန်းမ ရွေ့လျားနိုင်မှုအတွက် သံလိုက်စက်ကွင်း၊ ကျဉ်းမြောင်းသော စွမ်းအင်လှိုင်းကွာဟမှု၊ လှိုင်းအလျားအကွာအဝေး 1-3.8 µm ရှိသော အနီအောက်ရောင်ခြည်ရှာဖွေကိရိယာများတည်ဆောက်မှုအတွက် စံပြပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ အခန်းအပူချိန်တွင်၊ လှိုင်းအလျားအလယ်အလတ်ရှိ အနီအောက်ရောင်ခြည်စူပါလက်တင်လေဆာများ၊ အလယ်အလတ်အနီအောက်ရောင်ခြည် LED ကိရိယာများသည် ၎င်း၏ 2-14 μm လှိုင်းအလျားအကွာအဝေးအတွက် ဖန်တီးမှုဖြစ်သည်။ထို့အပြင် InAs သည် ကွဲပြားသော InGaAs၊ InAsSb၊ InAsPSb & InNAsSb သို့မဟုတ် AlGaSb စူပါရာဇမတ်ကွက်ဖွဲ့စည်းပုံ စသည်တို့ကို ထပ်မံပံ့ပိုးရန် စံပြအလွှာတစ်ခုဖြစ်သည်။

အခုပဲ စုံစမ်းလိုက်ပါ။

အသေးစိတ်

တဂ်

နည်းပညာဆိုင်ရာသတ်မှတ်ချက်

အင်ဒီယမ် အာဆင်းနိုက်

InAs

Indium Arsenide Crystal WaferHall ကိရိယာများနှင့် သံလိုက်စက်ကွင်းအာရုံခံကိရိယာများ ပြုလုပ်ရန် အလွန်ကောင်းမွန်သော အလွှာတစ်ခုဖြစ်ပြီး အခန်းအပူချိန်တွင် ပါဝါမြင့်မားသောအသုံးချပလီကေးရှင်းများတွင် အသုံးပြုသော လှိုင်းအလျားအကွာအဝေး 1-3.8 µm ရှိသော အနီအောက်ရောင်ခြည် ထောက်လှမ်းကိရိယာများ တည်ဆောက်ရန်အတွက် ကျဉ်းမြောင်းသော စွမ်းအင်လှိုင်းကွာဟမှု စံပြပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ လှိုင်းအလျားအလယ်အလတ်ရှိ အနီအောက်ရောင်ခြည်စူပါလက်တင်လေဆာများ၊ အလယ်အလတ်အနီအောက်ရောင်ခြည် LEDs ကိရိယာများသည် ၎င်း၏ 2-14 μm လှိုင်းအလျားအကွာအဝေးအတွက် ဖန်တီးမှုဖြစ်သည်။ထို့အပြင် InAs သည် ကွဲပြားသော InGaAs၊ InAsSb၊ InAsPSb & InNAsSb သို့မဟုတ် AlGaSb စူပါရာဇမတ်ကွက်ဖွဲ့စည်းပုံ စသည်တို့ကို ထပ်မံပံ့ပိုးရန် စံပြအလွှာတစ်ခုဖြစ်သည်။

မရှိ	ပစ္စည်းများ	စံသတ်မှတ်ချက်
1	အရွယ်အစား	2"	3"	4"
2	အချင်းမီလီမီတာ	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	ကြီးထွားမှုနည်းလမ်း	LEC	LEC	LEC
4	လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း	P-type/Zn-doped၊ N-type/S-doped၊ Un-doped
5	တိမ်းညွှတ်မှု	(100)±0.5°၊ (111)±0.5°
6	အထူ μm	500±25	600±25	800±25
7	Orientation Flat mm	16±2	22±2	32±2
8	သက်သေခံပြား မီလီမီတာ	8±1	11±1	18±1
9	ရွေ့လျားနိုင်မှု cm2/Vs	60-300, ≥2000 သို့မဟုတ် လိုအပ်ချက်အရ
10	Carrier Concentration cm-3	(3-80)E17 သို့မဟုတ် ≤5E16
11	TTV μm အမြင့်ဆုံး	10	10	10
12	ညွှတ် µm max	10	10	10
13	Warp μm အမြင့်ဆုံး	15	15	15
14	Dislocation Density cm-2 အများဆုံး	၁၀၀၀	၂၀၀၀	၅၀၀၀
15	မျက်နှာပြင် အပြီးသတ်	P/E၊ P/P	P/E၊ P/P	P/E၊ P/P
16	ထုပ်ပိုးခြင်း။	အလူမီနီယမ်အိတ်ထဲတွင် အလုံပိတ် wafer တစ်လုံး။

Linear ဖော်မြူလာ	InAs
မော်လီကျူးအလေးချိန်	၁၈၉.၇၄
ကြည်လင်တာဘဲ	ဇင့်ရောစပ်ခြင်း။
အသွင်အပြင်	မီးခိုးရောင် ပုံဆောင်ခဲအစိုင်အခဲ
အရည်ပျော်မှတ်	(၉၃၆-၉၄၂)°C
ရေဆူမှတ်	မရှိ
သိပ်သည်းဆ 300K	5.67 g/cm³
စွမ်းအင်ကွာဟမှု	0.354 eV
ပင်ကိုယ်ခုခံနိုင်စွမ်း	0.16 Ω-စင်တီမီတာ
CAS နံပါတ်	၁၃၀၃-၁၁-၃
EC နံပါတ်	၂၁၅-၁၁၅-၃

အင်ဒီယမ် အာဆင်းနိုက် InAsWestern Minmetals (SC) ကော်ပိုရေးရှင်းတွင် polycrystalline အလုံးအခဲများ သို့မဟုတ် တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲအဖြစ် ဖြတ်ခြင်း၊ ထွင်းထုခြင်း၊ ပွတ်တိုက်ခြင်း သို့မဟုတ် epi-ready wafers များကို အရွယ်အစား 2” 3” နှင့် 4” (50mm, 75mm,100mm) အချင်းအဖြစ် လည်းကောင်း၊ p-type၊ n-type သို့မဟုတ် un-doped conductivity နှင့် <111> သို့မဟုတ် <100> orientation။စိတ်ကြိုက်သတ်မှတ်ချက်သည် ကမ္ဘာတစ်ဝှမ်းရှိ ကျွန်ုပ်တို့၏ဖောက်သည်များအတွက် ပြီးပြည့်စုံသောဖြေရှင်းချက်အတွက်ဖြစ်သည်။