ဖော်ပြချက်
အင်ဒီယမ်အောက်ဆိုဒ်2O3 သို့မဟုတ် indium trioxide 99.99%, 99.995%, 99.999% နှင့် 99.9999%, micropowder သို့မဟုတ် nanoparticle light-yellow အစိုင်အခဲမှုန့်၊ CAS 1312-43-3၊ သိပ်သည်းဆ 7.18g/cm3 နှင့် 2000° ဝန်းကျင် အရည်ပျော်သည်။C၊ သည် ရေတွင် မပျော်ဝင်နိုင်သော တည်ငြိမ်သော ကြွေထည်ကဲ့သို့ ပစ္စည်းတစ်ခု ဖြစ်သော်လည်း ပူသော inorganic acid တွင် ပျော်ဝင်ပါသည်။အင်ဒီယမ်အောက်ဆိုဒ်2O3n-type semiconductor function material သည် သေးငယ်သော ခံနိုင်ရည်ရှိမှု၊ ပိုမိုမြင့်မားသော ဓာတ်ပြုလှုပ်ရှားမှုနှင့် optoelectronic အသုံးချပရိုဂရမ်များအတွက် ကျယ်ပြန့်သော bandကွာဟမှုရှိသော ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ အင်ဒီယမ်အောက်ဆိုဒ်2O၃Western Minmetals (SC) Corporation မှ 99.99%, 99.995%, 99.999% နှင့် 99.9999% အရွယ်အစား 2-10 micron သို့မဟုတ် -100 mesh နှင့် nano grade၊ 1 ကီလိုဂရမ် အလုံပိတ် ပလပ်စတစ်အိတ်ဖြင့် ထုပ်ပိုးထားသော polyethylene ပုလင်းထဲတွင် ထည့်ထားသော 1kg၊ သို့မဟုတ် 1 ကီလိုဂရမ်၊ 2 ကီလိုဂရမ် 5 ကီလိုဂရမ် အပြင်ဘက်ပုံးပုံးပါသော အလူမီနီယမ်အိတ်အတွင်း သို့မဟုတ် ပြီးပြည့်စုံသောဖြေရှင်းချက်များအတွက် စိတ်ကြိုက်သတ်မှတ်မှုများအဖြစ်
လျှောက်လွှာများ
အင်ဒီယမ်အောက်ဆိုဒ်2O3 photoelectric၊ gas sensor၊ thin film infra-red reflectors၊ catalyst application၊ specialty glass color additive၊ alkaline ဘက်ထရီများ၊ နှင့် high current electronic switches နှင့် contacts များ၊ metallic mirror ၏ အကာအကွယ် coating နှင့် electro-optical ၏ semiconductor film များအတွက် တွင်တွင်ကျယ်ကျယ် အသုံးပြုပါသည်။ display စတာတွေကို In2O3ဖန်သားပြင်များ၊ စွမ်းအင်သက်သာသော ပြတင်းပေါက်များနှင့် photovoltaics များအတွက် ITO ပစ်မှတ်အတွက် အဓိကပါဝင်သည့် အစိတ်အပိုင်းဖြစ်သည်။ထို့အပြင် In2O3 p-InP၊ n-GaAs၊ n-Si နှင့် အခြားတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကဲ့သို့သော ပစ္စည်းများနှင့်အတူ heterojunctions များကို IC များတွင် ခုခံနိုင်သောဒြပ်စင်တစ်ခုဖြစ်သည်။တစ်ချိန်တည်းတွင်၊ မျက်နှာပြင်အကျိုးသက်ရောက်မှု၊ သေးငယ်သောအရွယ်အစားနှင့် macroscopic quantum tunneling အကျိုးသက်ရောက်မှုရှိခြင်း၊နာနိုအင်2O3 အဓိကအားဖြင့် optical နှင့် antistatic coatings များ၊ transparent conductive coatings application များအတွက်ဖြစ်သည်။
နည်းပညာဆိုင်ရာသတ်မှတ်ချက်
အသွင်အပြင် | အဝါရောင်အမှုန့် |
မော်လီကျူးအလေးချိန် | ၂၇၇.၆၃ |
သိပ်သည်းဆ | 7.18 g/cm3 |
အရည်ပျော်မှတ် | 2000°C |
CAS နံပါတ် | ၁၃၁၂-၄၃-၂ |
မရှိ | ကုသိုလ်ကံ | စံသတ်မှတ်ချက် | ||
1 | သန့်ရှင်းမှု2O3≥ | ညစ်ညမ်းမှု (ICP-MS စမ်းသပ်မှုအစီရင်ခံစာ PPM Max တစ်ခုစီ) | ||
2 | 4N | 99.99% | Cu/Al 20၊ Ti 3.0၊ Pb 4.0၊ Sn 7.0၊ Cd 8.0၊ Fe 15 | စုစုပေါင်း ≤100 |
4N5 | 99.995% | Cu/Al/Cd/Sn/Ti/Ni/As/Zn 1.0၊ Si 2.0၊ Fe/Ca 5.0 | စုစုပေါင်း ≤50 | |
5N | 99.999% | Cu/Pb/Cd/Fe/Ni 0.5၊ Ca/Sn/Ti 1.0 | စုစုပေါင်း ≤10 | |
6N | 99.9999% | တောင်းဆိုချက်အရ ရရှိနိုင်ပါသည်။ | စုစုပေါင်း ≤1.0 | |
3 | အရွယ်အစား | 4N 5N5 5N သန့်စင်မှုအတွက် 2-10μm အမှုန့်၊ 6N သန့်စင်မှုအတွက် -100mesh အမှုန့် | ||
4 | ထုပ်ပိုးခြင်း။ | အပြင်ဘက်တွင် အလုံပိတ် ပလပ်စတစ်အိတ်ဖြင့် polyethylene ပုလင်းထဲတွင် ၁ ကီလိုဂရမ် |
အင်ဒီယမ်အောက်ဆိုဒ်2O3 သို့မဟုတ် အင်ဒီယမ်ထရစ်အောက်ဆိုဒ်2O3Western Minmetals (SC) Corporation မှ 99.99%, 99.995%, 99.999% နှင့် 99.9999% 4N 4N5 5N 6N အရွယ်အစား 2-10 micron သို့မဟုတ် -100 mesh powder နှင့် nano grade သန့်စင်မှုဖြင့် ပေးပို့နိုင်သည်၊ polyethylene ပုလင်း 1 ကီလိုဂရမ်ဖြင့် ထုပ်ပိုးထားသည်။ အလုံပိတ် ပလပ်စတစ်အိတ်၊ ထို့နောက် အပြင်ဘက်တွင် ပုံးပုံး သို့မဟုတ် ပြီးပြည့်စုံသော ဖြေရှင်းချက်များအတွက် စိတ်ကြိုက်သတ်မှတ်ချက်များအဖြစ်။
အင်ဒီယမ်အောက်ဆိုဒ်2O3 photoelectric၊ gas sensor၊ thin film infra-red reflectors၊ catalyst application၊ specialty glass color additive၊ alkaline ဘက်ထရီများ၊ နှင့် high current electronic switches နှင့် contacts များ၊ metallic mirror ၏ အကာအကွယ် coating နှင့် electro-optical ၏ semiconductor film များအတွက် တွင်တွင်ကျယ်ကျယ် အသုံးပြုပါသည်။ display စတာတွေကို In2O3ဖန်သားပြင်များ၊ စွမ်းအင်သက်သာသော ပြတင်းပေါက်များနှင့် photovoltaics များအတွက် ITO ပစ်မှတ်အတွက် အဓိကပါဝင်သည့် အစိတ်အပိုင်းဖြစ်သည်။ထို့အပြင် In2O၃p-InP၊ n-GaAs၊ n-Si နှင့် အခြားတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကဲ့သို့သော ပစ္စည်းများနှင့်အတူ heterojunctions များကို IC များတွင် ခုခံနိုင်သောဒြပ်စင်တစ်ခုဖြစ်သည်။ထိုအချိန်တွင်၊ မျက်နှာပြင်အကျိုးသက်ရောက်မှု၊ သေးငယ်သောအရွယ်အစားနှင့် macroscopic quantum tunneling အကျိုးသက်ရောက်မှုရှိခြင်း၊ Nano In2O3 အဓိကအားဖြင့် optical နှင့် antistatic coatings များ၊ transparent conductive coatings application များအတွက်ဖြစ်သည်။
ဝယ်ယူရေးဆိုင်ရာ အကြံပြုချက်များ
အင်ဒီယမ်အောက်ဆိုဒ် In2O3