အင်ဒီယမ်ဖော့စဖိုက် InP

ဖော်ပြချက်

အင်ဒီယမ်ဖော့စဖိုက် InP,CAS No.22398-80-7၊ အရည်ပျော်မှတ် 1600°C၊ III-V မိသားစု၏ ဒွိဒြပ်ပေါင်းတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာ၊ မျက်နှာကိုဗဟိုပြုထားသည့် ကုဗ “သွပ်ရောစပ်” ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံ၊ III-V တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအများစုနှင့် ဆင်တူသည်၊ 6N 7N သည် မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော အင်ဒီယမ်နှင့် ဖော့စဖရပ်ဒြပ်စင်ဖြစ်ပြီး LEC သို့မဟုတ် VGF နည်းပညာဖြင့် တစ်ခုတည်းသောပုံဆောင်ခဲအဖြစ် ကြီးထွားလာသည်။Indium Phosphide crystal ကို n-type၊ p-type သို့မဟုတ် semi- insulating conductivity အဖြစ် 6″ (150 mm) အချင်းအထိ ပြုလုပ်နိုင်စေရန်အတွက်၊ ၎င်း၏ တိုက်ရိုက်တီးဝိုင်းကွာဟမှု၊ အီလက်ထရွန်များနှင့် အပေါက်များ၏ ရွေ့လျားနိုင်မှု မြင့်မားပြီး ထိရောက်သော အပူဒဏ်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ လျှပ်ကူးမှု။Western Minmetals (SC) Corporation တွင် Indium Phosphide InP Wafer prime သို့မဟုတ် test grade ကို p-type၊ n-type နှင့် semi-insulating conductivity အရွယ်အစား 2" 3" 4" နှင့် 6" (150mm) အချင်းအထိ၊ ထွင်းထုခြင်းနှင့် ပွတ်တိုက်ခြင်း သို့မဟုတ် Epi အဆင်သင့် လုပ်ငန်းစဉ်ဖြင့် မျက်နှာပြင်အချောသတ်မှုဖြင့် တိမ်းညွှတ်မှု <111> သို့မဟုတ် <100> နှင့် အထူ 350-625um။ထိုအတောအတွင်း Indium Phosphide Single Crystal ingot 2-6" ကို တောင်းဆိုချက်အရ ရနိုင်ပါသည်။Polycrystalline Indium Phosphide InP သို့မဟုတ် Multi-crystal InP အရွယ်အစား D(60-75) x Length (180-400) mm ရှိသော 6E15 သို့မဟုတ် 6E15-3E16 ထက်နည်းသော သယ်ဆောင်သူ၏အာရုံစူးစိုက်မှုနှင့်အတူ 6E15 သို့မဟုတ် 6E15-3E16 ကိုလည်း ရရှိနိုင်ပါသည်။ပြီးပြည့်စုံသောဖြေရှင်းချက်ကိုရရှိရန် တောင်းဆိုမှုအရ စိတ်ကြိုက်သတ်မှတ်ထားသော မည်သည့်သတ်မှတ်ချက်ကိုမဆို ရရှိနိုင်ပါသည်။

လျှောက်လွှာများ

Indium Phosphide InP wafer ကို opto-electronic အစိတ်အပိုင်းများ၊ ပါဝါနှင့် ကြိမ်နှုန်းမြင့် အီလက်ထရွန်နစ် ကိရိယာများ ထုတ်လုပ်ခြင်းအတွက် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုထားပြီး၊ epitaxial indium-gallium-arsenide (InGaAs) အခြေပြု opto-အီလက်ထရွန်းနစ် စက်ပစ္စည်းများအတွက် အလွှာအဖြစ် အသုံးပြုသည်။Indium Phosphide သည် optical fiber ဆက်သွယ်ရေး၊ မိုက်ခရိုဝေ့ဖ် ပါဝါရင်းမြစ် ကိရိယာများ၊ မိုက်ခရိုဝေ့ဖ် အသံချဲ့စက်များနှင့် ဂိတ် FETs စက်များ၊ မြန်နှုန်းမြင့် မော်ဂျူလာကိရိယာများနှင့် ဓာတ်ပုံ-ထောက်လှမ်းကိရိယာများ၊ ဂြိုလ်တု လမ်းကြောင်းပြခြင်း စသည်တို့အတွက် အလွန်အလားအလာကောင်းသော အလင်းရင်းမြစ်များအတွက် ဖန်တီးမှုတွင် ပါဝင်ပါသည်။

အခုပဲ စုံစမ်းလိုက်ပါ။

အသေးစိတ်

တဂ်

နည်းပညာဆိုင်ရာသတ်မှတ်ချက်

အင်ဒီယမ်ဖော့စဖိုက် InP

Indium Phosphide တစ်ခုတည်းသော အရည်ကြည်Western Minmetals (SC) ကော်ပိုရေးရှင်းမှ Wafer (InP crystal ingot သို့မဟုတ် Wafer) ကို အရွယ်အစား 2” 3” 4” နှင့် 6” (150mm) အချင်းအထိ p-type၊ n-type နှင့် semi- insulating conductivity ဖြင့် ပေးဆောင်နိုင်ပါသည်။ ထွင်းထုခြင်းနှင့် ပွတ်တိုက်ခြင်း သို့မဟုတ် Epi အဆင်သင့် လုပ်ငန်းစဉ်ဖြင့် မျက်နှာပြင်အချောသတ်မှုဖြင့် တိမ်းညွှတ်မှု <111> သို့မဟုတ် <100> နှင့် အထူ 350-625um။

အင်ဒီယမ်ဖော့စဖိုက် Polycrystallineသို့မဟုတ် 6E15 သို့မဟုတ် 6E15-3E16 ထက်နည်းသော သယ်ဆောင်သူ၏အာရုံစူးစိုက်မှုနှင့်အတူ D(60-75) x L(180-400) မီလီမီတာ (180-400) မီလီမီတာ (Multi-Crystal ingot) (InP poly ingot) ကို ရနိုင်သည်။ပြီးပြည့်စုံသောဖြေရှင်းချက်ကိုရရှိရန် တောင်းဆိုမှုအရ စိတ်ကြိုက်သတ်မှတ်ထားသော မည်သည့်သတ်မှတ်ချက်ကိုမဆို ရရှိနိုင်ပါသည်။

မရှိ	ပစ္စည်းများ	စံသတ်မှတ်ချက်
1	Indium Phosphide တစ်ခုတည်းသော အရည်ကြည်	2"	3"	4"
2	အချင်းမီလီမီတာ	50.8±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	ကြီးထွားမှုနည်းလမ်း	VGF	VGF	VGF
4	လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း	P/Zn-doped၊ N/(S-doped သို့မဟုတ် un-doped), Semi- insulating
5	တိမ်းညွှတ်မှု	(100)±0.5°၊ (111)±0.5°
6	အထူ μm	350±25	600±25	600±25
7	Orientation Flat mm	16±2	22±1	32.5±1
8	သက်သေခံပြား မီလီမီတာ	8±1	11±1	18±1
9	ရွေ့လျားနိုင်မှု cm2/Vs	50-70၊ >2000၊ (1.5-4)E3
10	Carrier Concentration cm-3	(0.6-6)E18၊ ≤3E16
11	TTV μm အမြင့်ဆုံး	10	10	10
12	ညွှတ် µm max	10	10	10
13	Warp μm အမြင့်ဆုံး	15	15	15
14	Dislocation Density cm-2 အများဆုံး	၅၀၀	၁၀၀၀	၂၀၀၀
15	မျက်နှာပြင် အပြီးသတ်	P/E၊ P/P	P/E၊ P/P	P/E၊ P/P
16	ထုပ်ပိုးခြင်း။	တစ်ခုတည်းသော wafer ကွန်တိန်နာကို အလူမီနီယမ်ပေါင်းစပ်အိတ်ထဲတွင် အလုံပိတ်။

မရှိ	ပစ္စည်းများ	စံသတ်မှတ်ချက်
1	Indium Phosphide Ingot	Poly-Crystalline သို့မဟုတ် Multi-Crystal Ingot
2	အရည်ကြည် အရွယ်အစား	D(60-75) x L(180-400)mm
3	Crystal Ingot ၏အလေးချိန်	2.5-6.0Kg
4	ရွေ့လျားနိုင်မှု	≥3500 စင်တီမီတာ²/VS
5	Carrier Concentration	≤6E15၊ သို့မဟုတ် 6E15-3E16 စင်တီမီတာ^-3
6	ထုပ်ပိုးခြင်း။	InP crystal ingot တစ်ခုစီသည် အလုံပိတ်ပလပ်စတစ်အိတ်ထဲတွင်ရှိပြီး၊ ပုံးတစ်ပုံးတွင် 2-3 ပေါက်ရှိသည်။

Linear ဖော်မြူလာ	InP
မော်လီကျူးအလေးချိန်	၁၄၅.၇၉
ကြည်လင်တာဘဲ	ဇင့်ရောစပ်ခြင်း။
အသွင်အပြင်	ပုံဆောင်ခဲ
အရည်ပျော်မှတ်	1062°C
ရေဆူမှတ်	မရှိ
သိပ်သည်းဆ 300K	4.81 g/cm³
စွမ်းအင်ကွာဟမှု	1.344 eV
ပင်ကိုယ်ခုခံနိုင်စွမ်း	8.6E7 Ω-cm
CAS နံပါတ်	၂၂၃၉၈-၈၀-၇
EC နံပါတ်	၂၄၄-၉၅၉-၅

Indium Phosphide InP Waferoptoelectronic အစိတ်အပိုင်းများ၊ စွမ်းအားမြင့် နှင့် ကြိမ်နှုန်းမြင့် အီလက်ထရွန်နစ် ကိရိယာများ ထုတ်လုပ်ခြင်းအတွက် epitaxial indium-gallium-arsenide (InGaAs) အခြေပြု opto-electronic စက်ပစ္စည်းများအတွက် အလွှာအဖြစ် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုပါသည်။Indium Phosphide သည် optical fiber ဆက်သွယ်ရေး၊ မိုက်ခရိုဝေ့ဖ် ပါဝါရင်းမြစ် ကိရိယာများ၊ မိုက်ခရိုဝေ့ဖ် အသံချဲ့စက်များနှင့် ဂိတ် FETs စက်များ၊ မြန်နှုန်းမြင့် မော်ဂျူလာကိရိယာများနှင့် ဓာတ်ပုံ-ထောက်လှမ်းကိရိယာများ၊ ဂြိုလ်တု လမ်းကြောင်းပြခြင်း စသည်တို့အတွက် အလွန်အလားအလာကောင်းသော အလင်းရင်းမြစ်များအတွက် ဖန်တီးမှုတွင် ပါဝင်ပါသည်။